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国家存储器基地项目(一期)一号出产及动力厂房,提前封顶啦!

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国家存储器基地项目(一期)一号出产及动力厂房,提前封顶啦!

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国家存储器基地项目(一期)一号出产及动力厂房,提前封顶啦!
 
  9月28日,开工9个月的国家存储器基地项目(一期)一号出产及动力厂房,实现提前封顶,项目建设向前迈出坚实一步!
  在项目前期工作中,澳门新萄京最大平台参与基础设施的建设服务,创作发明了”葛化速度“,为项目的顺利实施夯实了基础。该项目于2016年12月30日正式开工,将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash 出产厂房,其核心出产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美金。此次提前封顶的项目(一期)一号出产及动力厂房建筑面积达52.4万㎡,预计将于2018年投入使用。项目(一期)达产后,总产能将达到30万片/月,年产值将超过100亿美金。
  国家存储器基地是我国发展集成电路产业的重要组成部分,对于填补国内主流存储器领域空白、保障国家信息安全具有重要的战略意义。国家存储器基地的逐步建成,标志着中国存储芯片产业规模化发展实现”零“的突破,这是”国家战略推动、地方大力支撑、企业市场化运作“新模式的成功探索。
  未来,这里将建起”航母级芯片工厂“,我国存储器产业的发展也将再上新台阶。

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